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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

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E 固定建筑物

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种三维结构非易失存储器阵列及其制备方法-CN201010279505.8无效
发明人：蔡一茂;黄如;秦石强;唐粕人;张丽杰;唐昱 -专利权人：北京大学
申请日： 2010-09-13 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明提供一种三维结构阻变存储器阵列及其制造方法，属于超大规模集成电路制造技术中的非易失存储器技术领域。本发明三维结构阻变存储器阵列包括衬底和底电极/隔离介质堆栈结构，在底电极/隔离介质堆栈结构上刻蚀出深槽，在深槽侧壁上淀积阻变材料以及顶电极层，其中底电极和顶电极在深槽侧壁上呈十字交叉，交叉点之间有阻变材料，每个交叉点形成一个阻变存储器单元，所有的阻变存储器单元形成三维阻变存储器阵列，阵列中的三维阻变存储器由隔离介质层隔离。本发明可以提高阻变存储器的存储密度，并且简化工艺，降低工艺成本。
一种三维结构非易失存储器阵列及其制备方法

[发明专利]一种基于多个单值阻变存储器的多值阻变结构-CN201910245936.3有效
发明人：蒋宇;沈灵;严慧婕;李志芳;温建新;段杰斌 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2019-03-28 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明公开的一种基于多个单值阻变存储器的多值阻变结构，包括存储器单元和控制MOS管，所述存储器单元包括3个首尾连接的阻变存储器簇，且相邻两个阻变存储器簇之间形成一个节点，从而形成存储器单元的3个节点，三个节点分别连接该多值阻变结构的两个控制端口和控制MOS管的漏极，所述控制MOS管的源极连接该多值阻变结构的一个读写端口，所述控制MOS管的栅极连接该多值阻变结构的选择导通信号。本发明提供的一种基于多个单值阻变存储器的多值阻变结构，最大化的减小了MOS管的数量，从而减少了多值阻变结构的面积。
一种基于多个单值阻变存储器多值阻变结构

[发明专利]一种测量阻变存储器状态密度的方法-CN201410270200.9在审
发明人：卢年端;李泠;刘明;闫小兵;吕杭炳;孙鹏霄 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2014-06-17 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： G11C29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种测量阻变存储器状态密度的方法，包括：实验测量阻变存储器电流的驰豫效应，得到该阻变存储器实验测量的电流值；根据该实验测量的电流值来选取该阻变存储器的状态密度宽度；根据选取的该阻变存储器的状态密度宽度计算得到该阻变存储器状态密度利用本发明，测量过程简单，能够得到各种材料和结构不同的阻变存储器的状态密度。
一种测量存储器状态密度方法

[发明专利]阻变存储器测试结构、操作方法及制备方法-CN202210943633.0在审
发明人：唐建石;马呈翔;郑小健;贺晓东;武咏琴;高滨;钱鹤;吴华强 -专利权人：清华大学;北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：一种阻变存储器测试结构、用于阻变存储器测试结构的操作方法以及制备方法。该阻变存储器测试结构包括衬底以及设置在衬底上的阻变存储器、限流电阻和至少一个测试垫，阻变存储器包括衬底的表面上在远离衬底的方向上依次提供的第一电极、阻变存储层和第二电极，限流电阻在衬底上的表面上呈条状延伸该阻变存储器测试结构的制作工艺简单，用于对不同阻变存储器材料体系的研究中可以极大降低测试成本。
存储器测试结构操作方法制备方法

[发明专利]阻变存储器装置及其制造方法-CN201710863654.0有效
发明人：陈达 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2017-09-22 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种阻变存储器装置及其制造方法，该阻变存储器装置包括：第一阻变存储器元件、第二阻变存储器元件以及存储器控制器。第一阻变存储器元件配置于芯片上。第二阻变存储器元件配置于相同的芯片上。存储器控制器配置于相同的芯片上。存储器控制器用以控制第一阻变存储器元件与第二阻变存储器元件的数据存取。第一阻变存储器元件的存取频率与第二阻变存储器元件存取频率不同。
存储器装置及其制造方法

[发明专利]一种存储器器件-CN201210285423.3无效
发明人：刘明;李颖弢;龙世兵;吕杭炳;刘琦 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-08-10 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器器件，属于微电子技术以及存储器器件技术领域。该存储器器件结构由阻变存储单元和位于阻变存储单元之上的选择单元构成。其中，阻变存储单元结构包括：底层电极、位于底层电极之上的阻变存储层、位于阻变存储层之上的上电极。选择单元结构是由两个反向并联的肖特基二极管构成。本发明提出的存储器器件能够有效抑制双极性阻变器件在交叉阵列中的读串扰问题，可以实现双极性阻变存储器的高密度集成。
一种存储器器件

[发明专利]一种阻变存储器总剂量辐射测试方法和装置-CN202211139602.6在审
发明人：李雨佳;赵元富;王亮;李同德;张彦龙 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本申请涉及阻变存储器领域，具体公开了一种阻变存储器总剂量辐射测试方法，包括：将对多个阻变存储器进行分组，得到M组阻变存储器，每组阻变存储器包括N个阻变存储器，M组阻变存储器分别对应M个初始阻态；对M组阻变存储器进行总剂量辐射实验；对M组阻变存储器进行循环耐受性实验，循环耐受性实验的结果用于指示阻变存储器的与总剂量辐射相关的测试结果。通过该测试方法，可以模拟阻变存储器受到总剂量辐射后的耐受性变化，以对阻变存储器在总剂量辐射环境中的应用提供优化方案。
一种存储器剂量辐射测试方法装置

[发明专利]一种小尺寸阻变存储器及其制备方法-CN201210018873.6无效
发明人：张丽杰;黄如 -专利权人：北京大学
申请日： 2012-01-20 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种阻变存储器结构及制备方法，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)技术领域。该阻变存储器包括衬底，衬底上设有下电极，下电极上设有阻变层，在阻变层上设置带有侧墙的隔离层和上电极。本发明通过减小阻变存储器上电极的面积，来有效地控制阻变存储器的阻变发生的区域，从而改善阻变存储器参数的波动性。
一种尺寸存储器及其制备方法

[发明专利]一种平面结构的阻变存储器及其制备方法-CN201510608779.X有效
发明人：陈琳;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2015-09-23 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明属于阻变存储器技术领域，具体为一种平面结构的阻变存储器及其制备方法。本发明的阻变存储器具有形成于阻变功能层的两端的石墨烯电极，利用石墨烯材料的高迁移率特性，实现阻变存储器的低功耗运行。平面结构的阻变存储器有利于导电细丝形状的观察，有助于对阻变存储器的机理研究。本发明采用电焦耳热熔断的方法在石墨烯纳米带靠近中间的位置获得了几十纳米的空隙，从而形成石墨烯电极。基于原子层沉积工艺中阻变功能层在石墨烯上的侧向生长的特性，形成阻变功能层。该方法简单、有效、节约原材料成本，可实现对阻变存储器器件尺寸的调节。
一种平面结构存储器及其制备方法

[发明专利]一种阻变存储器结构及其制备方法-CN201410075803.3无效
发明人：王欣然;钱敏 -专利权人：南京大学
申请日： 2014-03-03 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种阻变存储器结构及其制备方法。本发明的阻变存储器结构的底电极和/或顶电极为石墨烯。本发明还提供了上述阻变存储器结构的制备方法，其包括利用石墨烯制备阻变存储器结构的底电极和/或顶电极的步骤。本发明所提供的阻变存储器结构以大面积的石墨烯作为器件的底电极和/或顶电极，代替传统的金属，由此制作得到的含有石墨烯的阻变存储器件，与传统金属/氧化物/金属器件相比，开启和关闭功耗分别能够大大降低，并保持开关比在透明柔性的聚萘二甲酸乙二醇酯衬底上制作上述器件结构，能够得到透明、可弯折的超低功耗柔性透明阻变存储器。
一种存储器结构及其制备方法

[发明专利]一种采用电场增强层的阻变存储器及其制备方法-CN201110139900.0无效
发明人：张卫;陈琳;周鹏;孙清清;王鹏飞 -专利权人：复旦大学
申请日： 2011-05-27 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明属于不挥发存储器技术领域，具体为一种采用电场增强层的阻变存储器及其制造方法。本发明阻变存储器包括顶电极、底电极以及位于所述顶电极与所述底电极之间的一层阻变功能介质层和一层电场增强层；所述的电场增强层和电阻转变存储层相邻，并且，电场增强层的介电常数低于阻变功能介质层的介电常数。本发明选用不同介电常数的阻变功能材料组成叠层结构来调节阻变存储结构单元中的电场分布，进而通过控制该电场分布来实现阻变存储器在阻变过程中所形成的导电通道结构和数量上的控制。本发明提出的阻变存储器性能稳定可控。
一种采用电场增强存储器及其制备方法

[发明专利]一种阻变存储器阵列结构及制作方法-CN202010263672.7有效
发明人：郭奥 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2020-04-07 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种阻变存储器阵列结构，包括：n根第一电极，第一电极为周期性排布的线条结构，每根第一电极的线条两侧分布有多对第二电极，第一电极和第二电极之间填充有阻变层，形成阻变存储器单元；第二电极和阻变层在垂直于第一电极线条的方向上组成多根周期性线状结构，线状结构与第一电极线条构成平面结构的十字交叉阵列，十字交叉阵列的每个交叉节点包含两个阻变存储器单元；任意一根线状结构上均排布有2n个阻变存储器单元，且任意两个相邻的阻变存储器单元共用一个第一电极或一个第二电极本发明可将阻变存储器的阵列密度扩大一倍，并且可以进行三维堆叠，形成超高密度的立体阻变存储器阵列。
一种存储器阵列结构制作方法

[发明专利]1TnR阻变随机存储器的结构及其制备方法-CN202210672466.0在审
发明人：仇圣棻;李晓波;杨芸;陈亮 -专利权人：昕原半导体（杭州）有限公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种1TnR阻变随机存储器的结构及其制备方法，其中的结构包括底层晶体管单元、设置在所述底层晶体管单元上的阻变存储集成单元以及设置在所述阻变存储集成单元上的选择器件集成单元；其中，所述阻变存储集成单元包括设置在所述底层晶体管单元上的至少两个阻变存储器单体本发明提供的1TnR阻变随机存储器的结构及其制备方法能够解决的传统的1TnR结构的阻变随机存储器的制备方法成本较高的问题。
tnr 随机存储器结构及其制备方法

[发明专利]一种纳米线阻变存储器及其实现方法-CN201010202275.5无效
发明人：刘晗;顾晶晶;王鹏飞;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2010-06-17 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明属于非挥发性存储器技术领域，具体公开了一种纳米线阻变存储器及其实现方法。本发明使用金属-金属氧化物核壳结构的纳米线来实现阻变存储器，所述纳米线的核为金属，作为阻变存储器的传导层；所述纳米线的壳为金属氧化物半导体或绝缘体，作为阻变存储器的阻变层。本发明所公开的纳米线阻变存储器具有结构简单、操作电压低等优点，并且可以应用于未来的纳米线集成电路，或者其它种类的柔性集成电路里的存储器部分。
一种纳米线阻变存储器及其实现方法

[发明专利]阻变随机存储器存储单元及其制作方法、电子装置-CN201710022652.9在审
发明人：宋以斌 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-01-12 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种阻变随机存储器存储单元及其制作方法、电子装置，该阻变随机存储器存储单元的制作方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成层叠结构，所述层叠结构包括交错层叠的第一电极层和隔离层；在所述层叠结构的侧壁上形成阻变层；至少在所述阻变层的侧壁上形成第二电极层，从而形成多个存储单元。该阻变随机存储器存储单元的制作方法可以提高存储密度，改善持久性和存储器窗口。该阻变随机存储器存储单元及电子装置具有类似的优点。
存储单元随机存储器层叠结构电子装置阻变层制作侧壁衬底半导体第二电极第一电极交错层叠存储器持久性隔离层存储

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